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碳化硅微粉常用加熱氧化法除碳
文章出處：金嶺環(huán)保點(diǎn)擊率：發(fā)布時(shí)間：17-08-12
我們通過對碳化硅微粉進(jìn)行高溫煅燒，使碳化硅微粉中的游離碳及石墨與空氣中的氧氣反應(yīng)，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脫離碳化硅，從而實(shí)現(xiàn)了除碳的目的。
我公司利用高溫煅燒出去碳化硅微粉中的碳雜質(zhì)。該方法的最佳工藝條件為煅燒溫度為900℃，煅燒時(shí)間為3小時(shí)，碳化硅內(nèi)部的碳雜質(zhì)得到了完全去除。
我們以空氣為氧化介質(zhì)進(jìn)行碳化硅微粉與碳雜質(zhì)的分離，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：當(dāng)氧化溫度在450-560℃之間，氧化時(shí)間在4小時(shí)，雜志碳的去除率可以達(dá)到98.6%-99.2%。
通過實(shí)驗(yàn)分析可知，在一定的溫度及時(shí)間范圍內(nèi)，加熱氧化法對碳化硅微粉中的碳雜質(zhì)去除率可達(dá)98%，但由于粒徑為微粉級的碳化硅表面積大，如果加熱溫度過高，易造成碳化硅微粉的表面氧化，形成的氧化薄膜二氧化硅可能將碳微粉包裹，從而不利于碳雜質(zhì)的去除。
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