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碳化硅與電子信息產(chǎn)業(yè)密不可分的原因
文章出處：金嶺環(huán)保點(diǎn)擊率：發(fā)布時(shí)間：17-07-30
現(xiàn)代微電子和電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展很快，很大的推動(dòng)了社會(huì)的進(jìn)步，是朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)，可以說(shuō)二十一世紀(jì)是電子信息的時(shí)代，信息離不開傳輸媒體——電腦，鬼精品是電腦最基本的組成元件，碳化硅粉體材料是切割硅晶片的主要原料，所以說(shuō)，現(xiàn)代微電子和電子信息產(chǎn)業(yè)與碳化硅粉體材料的發(fā)展息息相關(guān)。隨著全球電子信息及太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)對(duì)硅晶片需求量的快速增長(zhǎng)，硅晶片線切割用碳化硅微粉的需求量也正在迅速增加。
以碳化硅（SiC）及GaN為代表的寬禁帶材料，是繼Si和GaAs之后的第三代半導(dǎo)體。與Si及GaAs相比，SiC具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子飄移速率、化學(xué)性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。所以，SiC特別適合于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射、抗腐蝕的電子器件。此外，六方SiC與GaN晶格和熱膨脹相匹配，也是制造高亮度GaN發(fā)光和激光二極管的理想襯底材料。SiC晶體目前主要應(yīng)用于光電器件，如藍(lán)綠光發(fā)光二極管以及紫外光激光二極管和功率器件包括大功率肖托基二極管，MES晶體管微波器件等。
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